据“温岭发布”消息，4月27日，温岭新城经济开发区成功签约狮门半导体功率器件生产项目。 （图源：温岭发布） 据悉，狮门半导体功率器件生产项目总投资约4亿元，共投资10条生产线，包括工业模块7条生产线、新能源汽车模块（EV-HPD、EV-DCM-1000）3条生产线。项目预计7月份完成厂房基础改造，11月份完成洁净车间建设，12月份设备安装调试，力争2024年春节前试产。 项目建成后，将专注于半导体功率器件的生产研发，产品将广泛应用于智能装备制造、新能源汽车等高新技术产业领域，并与温岭现有泵与电机、汽配、机床等优势产业结合，加快功率器件的国产替代进程，助力传统产业转型升级。正式投产后，预计未来5年累计业务收入达20亿元以上。 SEMI SEMI产业投资平台 汽车电子应用

据“安巢发布”消息，5月29日，深圳芯能半导体与安巢经开区在合肥市政府签署项目合作协议。 （图源：安巢发布） 据悉，此次签约项目采用先进工艺，专注于大功率模块封测，主要建设10条IGBT、5条SIC MOS自动化生产线，产品应用于新能源汽车、太阳能和家电等行业，项目整体建成达产后，预计可实现年产480万只IGBT模块和60万只SIC MOS模块，年营收约15亿元。 资料显示，深圳芯能半导体技术有限公司是一家聚焦IGBT芯片、高压栅极驱动芯片以及智能功率模块的研发、生产、应用和销售的国家高新技术企业和国家“专精特新”小巨人企业。掌握了国内领先核心技术，专注功率半导体相关产品的研发设计，截至今年3月底，集成电路布图47个，已实际授权发明专利84篇，产品主要应用于工业伺服电机驱动、变频家电、逆变器、电力系统、新能源汽车等。 SEMI SEMI产业投资平台 汽车电子应用

长飞光纤6月26日晚间公告，子公司安徽长飞先进半导体有限公司拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。本次对外投资拟在湖北省武汉市东湖新技术开发区建设第三代半导体功率器件生产项目。项目地点位于湖北省武汉市东湖新技术开发区，总投资额约为人民币 60 亿元，其中包括约人民币 36 亿元的股权融资及约人民币 24 亿元的银行贷款。该项目建设内容包括第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线，建设完毕后将形成年产 36 万片 6 英寸碳化硅晶圆及外延、年产 6100 万个功率器件模块的能力，达产后预计年产值约人民币 53 亿元。该项目同时将建设第三代半导体科技创新中心，用于跟进第三代半导 体国际前沿技术并开发第三代半导体器件先进工艺。 SEMISEMI产业投资平台汽车电子应用

7月20日消息，据丽水经开区官方公布的最新消息，旺荣半导体8英寸功率器件项目正处于主体建设阶段，预计8月份可实现设备进场及调试，9月份实现通线试生产。 （图源：丽水经济技术开发区） 据了解，浙江旺荣半导体有限公司8英寸功率器件项目位于丽水经济技术开发区，是丽水市首个8英寸晶圆制造项目，项目总投资50亿元，总用地面积102亩。一期计划投资24亿元，主要建设两条年产24万片的8英寸功率器件生产线，其中FRD芯片2.4万片/年、MOSFET芯片10.8万片/年、IGBT芯片10.8万片/年，建成达产后，预计可实现年产值16.8亿元。二期计划投资26亿元，主要对8英寸功率器件生产线进行扩产，最终形成年产72万片8英寸功率器件芯片及模组生产能力。全部建成达产后，预计可实现年产值60亿元。 浙江旺荣半导体有限公司董事长石松礼曾表示，该项目建成后将填补国内8英寸功率器件芯片产能缺口，有力打破国外芯片厂商在该领域的垄断，进一步加快相关产业的国产化进程。 SEMI SEMI产业投资平台 汽车电子应用

elexcon2023SiP与先进封装展 第七届中国系统级封装大会 8月23-25日闪耀登场！ “明星”封测展馆再扩版图 全新✨半导体板块✨等你打卡 从国产芯片 到先进封装龙头 从功率器件 到传统封测大厂 五大亮点，先睹为快！ 从国产芯片到封装产业链大厂集结 云集300+国产芯片厂商，200+半导体设备、封测服务、EDA/IP、先进材料等领域优质企业 探索下一代电力电子器件封装趋势 安世、清纯、场效应、COSAR、凌讯微，诚联恺达、忱芯、恩欧西等功率器件及其封测厂商同台演绎 2天会议7大论坛50+全球专家连线 UCle™联盟、日月光、长电、华润微封测、沐曦、长鑫存储、中兴微等企业大咖闪耀登场 先进封装完整产线展示，再添新军 晶圆级SiP先进封装产线 3.0版本 全自动BGA植球整线 多场热门封测技术活动，一站打卡 第七届中国系统级封装大会（SiP China） 2023深圳国际第三代半导体与应用论坛 2023Mini-LED封装和显示技术大会 SiP与先进封测展 300+ 中国本土芯片及元件厂商 200+ 半导体封测产业链厂商 8月23-25日深圳，在elexcon2023深圳国际电子展暨嵌入式与AIoT展、电源与储能展现场，即将汇聚超过300家中国本土芯片及元件厂商，覆盖AI芯片如GPU/XPU/FPGA、RISC-V、MCU、功率器件、电源管理芯片、存储芯片、射频芯片、无线模组、传感器、无源器件等多个产业集群，从IC设计到封测制造，打造SiP全产业链盛会！ 部分参展品牌 紫光同创、神州龙芯、沐曦、中微电、高云、易灵思、智多晶、君正、国芯、聆思智能；赛昉科技、孤波、凯云联创、比派科技、沁恒微电子、隼瞻科技、中移物联；灵动微电子、航顺、华大电子、中科芯、凌烟阁、中微半导体、笙泉科技、中电港、华芯微特、敏矽微、雅特力、芯源半导体、启珑微、拓尔微、零边界、瑞凡微、澎湃微、聚洵、晶丰明源、润石、领芯微、速显微；江波龙、康芯威、时创意、沛顿、康盈、东芯、佰维、宇瞻、朗科、金胜、闪芯微、恒烁、金百达、东方聚成；美格智能、慧智微、广芯微、顺络电子、兆讯、欧飞信、左蓝微、芯进、微泰、嘉硕、唯创知音、九芯、畅想视界、优友互联、格利尔、芯智云；安世半导体、清纯半导体、广东场效应、凌讯微、金誉半导体、可易亚、华之海、通科、COSAR、复锦、为芯半导体、威兆、安森德、圭石南方、威谷微、艾威尔、爱浦、明纬、宗义、全汉、弗迪动力、虹美、昭华、正著、灵矽微；扬兴、风华高科、晶科鑫、微容、宇阳、岑科、凯泽鑫、芯声微、科达嘉、科尼盛、宸远电子、宏明、天泰电器、设科、合泰盟方、益嘉源；翔胜、厚声、霆茂、业展电子、商盈、伍尔特、新天源、川晶、京频、泰晶、晨晶；深海、宇熙、厚为、惠兴力、创豪欣、声毅、联畅精密、利托电子、精途实业、源丰电子等（排名不分先后） 立即锁定👇参观门票 参展电话:0755-88311535 从Chiplet、3D堆叠到SiP和微组装，掌握提升PPA性能的方法论！elexcon2023深圳国际电子展暨SiP与先进封装展、第七届中国系统级封装大会（SiP China）将于2023年8月23-25日在深圳会展中心（福田）举行。作为全球SiP与先进封测领域的重磅活动之一，历经6年，SiP China累积了丰富的产业链资源，与全球重磅专家、全球优质供应商同台，帮您一站式打通从Fabless/IDM、功率/第三代半导体、存储、先进封装到终端的丰富资源！ 展示范围覆盖：3D IC设计、EDA工具、IP、晶圆制造与晶圆级封装、SiP与先进封装、Chiplet技术、功率器件及其封测、MEMS封测、封装材料/IC基板、微组装与智能制造、OSAT服务。 部分参展品牌 轴心、凯格精机、华润微封测事业群、云天半导体、芯和半导体、西门子EDA、宝士曼、贺利氏、Cadence、铟泰科技、鸿骐科技、安似科技、恩欧西智能、盟拓智能、上银科技、华芯智能、诚联恺达、思立康、日联科技、华工激光、首镭激光、德龙激光、Rehm、wlcsp、scy、VCAM、BTU、TAIYO、SUSS、3DMM、高格芯、博湃、轩田、佛智芯、御渡半导体、奇普乐、奇异摩尔、ZESTRON、ITW、K&S、Parmi、德沃、Heller、KANA、SPEA、和研科技、磐云、大连佳峰、铭奋、福讯、镭晨智能、望友信息、思泰克、科视达、华芯半导体、博辉特、栢林电子、华拓、爱德万、洁创、本诺电子、立可自动化、纬迪科技、伟特科技、智邦电子、佰维存储、镁伽科技、世禹精密、丰泰工业、三金电子、迈格仪器、卓茂科技、同惠电子、正远智能、海纳新材、捷汇多、正普化工、荒川/富诺依、金动力、锡喜材料、东鸿自动化、博捷芯、慧捷自动化、新迪精密、山木电子、芯瑞微、百健盛、福讯电子、德图、科卓、众志检测、先艺电子、杰航科技、鼎极、华技达、晟鼎精密、中科同志科技、三英精密、鑫业诚智能、南部佳永电子、汉源新材料、伊帕思新材料、利亚得、美瑞克阀门、煊廷丝印设备、中实金属、耀展科技、精锐仪器、雄聚电子、大研智造、正实半导体、深科达半导体、泰克光电、蓝彩电子、巨霖、住友电木、索思电子、奕成科技、UR优傲机器人、中科精工、上海丰信、森阳等（排名不分先后） 立即锁定👇参观门票 参展电话:0755-88311535 同时，为满足第三代半导体企业对封测环节的需求，elexcon 2023现场也吸引了诚联恺达、忱芯科技、恩欧西、科瑞杰、中科同志、华特力科、德图科技等多家功率器件封装技术和封测设备参展品牌亮相！在elexcon2023深圳国际电子展暨电源与储能展现场，与安世半导体、清纯半导体、广东场效应、凌讯微、金誉半导体、可易亚、华之海、通科、COSAR、复锦、为芯半导体、威兆、安森德、圭石南方等功率器件厂商共同演绎下一代电力电子器件封装技术及应用趋势！ 例如，忱芯科技将在现场展示车规级碳化硅功率半导体器件连续功率测试系统。该系统具有四大亮点：1、低杂感 - 采用忱芯独有创新性层叠母排和电容结构设计，测试主回路杂感低至15nH；2、高可靠 - 产线版耐高应力、高可靠性SiC模块驱动器，门极瞬间耐压100V；3、高抗扰 - 高速、高频、高可靠、共模瞬变抗扰度(CMTI)高达100kV/us；4、高适配 - 忱芯独有设计吹水装置，确保模块干燥整洁，无需人工吹水擦水可直接下料。 点击↑了解忱芯科技更多展品 · 展品抢先看· SiP与先进封测 微组装与封测设备 测试与测量 PCB板及EMS 材料 更多展品 点击图标👆了解更多展商展品信息 封测技术与应用论坛 3 场热门封装技术及应用论坛 70+ 全球重磅演讲专家现场互动 展会现场，第七届中国系统级封装大会（SiP China）将举行2天，分为1个主论坛和6个分论坛，即将汇聚近50位全球专家院士及企业代表：来自UCle™联盟、日月光集团、长电科技、华润微封测/矽磐微电子、芯和半导体、沐曦、长鑫存储、中兴微电子、芯盟、奇异摩尔、Cadence、西门子EDA、Synopsys、芯瑞微、安似科技、奇普乐、晶方半导体、芯砺智能、奕成科技、云天半导体、佰维存储、天芯互联、御渡半导体、ZESTRON、铟泰公司、贺利氏、本诺电子、爱德万测试、盟拓智能、优傲机器人、屹立芯创、住友电木、鸿骐科技、深圳市半导体行业协会、中国科学院深圳先进技术研究院材料所、IPC国际电子工业联接协会、深圳大学微电子研究院、广东省智能装备与系统集成创新中心等。 ▼大会主协办/赞助/参与企业： ▼大会日程抢先看： 此外，现场还将举行第三代半导体、功率半导体封装技术与装备、Mini-LED封装和显示技术等主题论坛，从晶圆制造、IC封测到终端制造，聚焦先进封测领域全新技术及市场动态、应用案例，带您一站式深度学习全球Chiplet、SiP与先进封装产业前沿动态！ ▼大会日程抢先看： 两大特色产线展示 BGA植球整线、晶圆级SiP封装产线 现场完整展示真实的生产过程 延续往年的亮点展示板块，展会现场还开设了多条先进封装产线： 晶圆级SiP先进封装产线 3.0版：凯意科技将携手ITW、Kulicke & Soffa、PARMI、HELLER、德沃先进、丰泰工业、世禹精密、标王工业、镁伽科技等设备供应商，在现场搭建“第三届晶圆级SiP先进封装产线”，在540平方米的展区内将一同举办为期两天的演讲论坛，以论坛+产线互动模式，为您详解PLP、SiP等先进封装技术。参与企业： 全自动BGA植球整线：鸿骐科技也将携手业内多家优秀设备品牌供应商搭建一条“全自动BGA植球整线”，展示设备包括上料机、点胶机、植球机、补球返修机、下料机等，通过可视化生产演示，让现场观众深入了解BGA植球工艺技术。 点击↓查看鸿骐科技整线展品>> 点击“”参观门票

据宁波众芯半导体官微消息，8月8日，宁波众芯半导体光电和功率器件IDM项目正式封顶。据此前消息，该项目于今年2月8日正式开工。项目总投资9.8亿元，采用芯片设计、晶圆制造、封装测试为一体的IDM（垂直整合）模式，主要建设6万片/月的6英寸硅基晶圆生产线和7000万颗/月的SOT、IPM、PDFN、TO封装测试产线。据了解，宁波众芯半导体有限公司是一家专注于光电器件和特色器件的半导体芯片设计研发、晶圆制造和封装测试垂直一体化的IDM芯片公司，拥有国内外著名半导体公司从业经验丰富的设计研发、生产、封测技术和经营管理团队。 SEMISEMI产业投资平台汽车电子应用

11月28日，比亚迪功率器件和传感控制器件研发及产业化项目一期竣工。这是绍兴滨海新区2023年重大项目竣工投产仪式上投资总额最大的项目。 图片来源：绍兴发布

碳化硅凭借其耐高压、耐高温、高频、抗辐射等卓越电气特性，突破了硅基半导体材料的物理限制，成为第三代半导体的核心材料。碳化硅材料的性能优势正在引领功率器件领域的新变革。 功率器件的作用在于处理、转换和控制电能。与硅基功率器件相比，以碳化硅为衬底制成的功率器件在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面展现出显著优势，实现了功率模块的小型化、轻量化。具体而言，相同规格的碳化硅基MOSFET尺寸可缩小至硅基MOSFET的十分之一，导通电阻至少降低至百分之一百。与硅基IGBT相比，碳化硅基MOSFET的总能量损耗可降低高达70%。 碳化硅功率器件在新能源汽车的电驱电控系统中扮演重要角色，尤其是在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面展现出明显优势，有助于实现新能源汽车电力电子驱动系统的轻量化和高效化。它们广泛应用于新能源汽车的主驱逆变器、OBC、DC/DC转换器和非车载充电桩等关键电驱电控部件。 各大主流新能源汽车制造商正积极布局碳化硅车型。碳化硅器件在车载充电系统和电源转换系统中的应用，能有效降低开关损耗、提高极限工作温度、提升系统效率。目前，全球已有超过20家汽车厂商在车载充电系统中使用碳化硅功率器件。此外，碳化硅器件在新能源汽车充电桩的应用，能减小充电桩体积，提高充电速度。碳化硅在新能源汽车上的应用，不仅能在保证汽车强度和安全性能的前提下减轻汽车重量，还能有效提升电动车续航里程，并减少电控系统体积。 应用于直流快速充电桩的碳化硅市场潜力巨大。尽管成本因素目前限制了直流充电桩中碳化硅器件的使用比例，但通过配置碳化硅功率器件，直流快速充电桩能简化内部电路，提高充电效率，减小散热器体积和成本，进而减小系统整体尺寸和重量。随着800V快充技术的推广，直流充电桩的碳化硅市场有望迎来高速增长。 随着电动汽车、智能驾驶等技术的快速发展，汽车行业对半导体功率器件的需求日益增长。第三代半导体功率器件，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件，凭借其高效、高频率和高温度等优异性能，正逐渐成为汽车行业的新宠。 一、第三代半导体功率器件的特点 相较于传统的硅（Si）半导体材料，第三代半导体材料如SiC和GaN具有以下优点： 更高的能效：第三代半导体功率器件具有更低的导通电阻和更高的开关速度，从而实现更高的能效，降低能耗。 更高的工作频率：由于第三代半导体材料具有较高的电子饱和速度和较低的输入电容，其工作频率可达到数十兆赫甚至更高，远超过传统的硅半导体。 更高的温度稳定性：第三代半导体材料具有较高的热导率和较宽的禁带宽度，使其能在更高的温度下稳定工作。 更小的尺寸：由于第三代半导体功率器件的高频率特性，可以减小磁性元件和电容的尺寸，从而实现更紧凑的电源设计。 综合以上优点，在相同的功率等级下，设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小，同时效率也有大幅度的提升。 碳化硅的这些优势在电子汽车领域中起到了关键作用，有助于实现动力控制单元的电池更轻、更长、更强，缩短充电时间，提高新能源汽车的能量转换效率。 随着新能源汽车渗透率的提高，碳化硅在电子汽车中的应用与地位日益凸显。汽车产业作为国民经济的重要支柱产业，在经济发展中发挥着重要作用。随着我国经济持续快速发展和城镇化进程加速推进，汽车需求量仍将保持增长势头。而随着新能源汽车渗透率的提高，碳化硅在电子汽车中的应用与地位也随之提升。 与中高端手机对更高性能处理器的追求类似，碳化硅不仅能提高新能源汽车的能量转换效率，还能提高汽车的整体成本效益。虽然价格更高，但这部分成本可以通过更高的行业利润来覆盖。因此，为了获得更多的行业利润，各厂商的中高端车型也将陆续配备碳化硅设备。 碳化硅（SiC）作为一种第三代化合物半导体原材料，因其独特的性能，在新能源市场行业发展的推动下，带动了碳化硅（SiC）产业市场的快速发展。碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽车类应用中占比最高，达到38%。 通过分析，我们可以直观了解碳化硅（SiC）的成本结构。从制造成本结构来看，衬底成本占比最大，其次是外延成本。这两大工序是产业发展的主要环节，制备难度和技术要求都非常高。 全球碳化硅（SiC）衬底市场规模呈现出快速增长的趋势。从图表分析来看，碳化硅（SiC）衬底市场规模正在迅速扩大。 接下来，我们分析碳化硅（SiC）外延片的价格发展趋势。碳化硅（SiC）外延片是在碳化硅（SiC）衬底上生长的一层与衬底晶相同的单晶薄膜。从价格分析来看，碳化硅（SiC）外延片的价格仍然非常高昂。然而，随着碳化硅（SiC）衬底价格的下降，碳化硅（SiC）外延片的价格未来可能会有所下降。 碳化硅（SiC）功率器件市场规模的增长态势也非常迅速。碳化硅（SiC）功率器件的最大特点是高电压、高频、低消耗，这使得它们在最大程度上提高了能源转换效率。随着技术突破和成本降低，碳化硅（SiC）功率器件将大规模应用于新能源电动汽车以及充电桩等领域。 目前，碳化硅（SiC）行业的不断发展使得碳化硅（SiC）功率器件的市场规模和竞争格局发生了变化。尽管如此，市场仍以海外巨头为主导。意法半导体占据了较大的市场份额，超过40%。 在中国，碳化硅（SiC）的应用规模也在不断扩大。随着新能源工业的发展以及充电桩等新兴领域的拓展，带动了中国碳化硅（SiC）功率器件应用的发展。 从应用结构分析来看，中国碳化硅（SiC）功率器件的应用中，新能源汽车和消费类电源占据主导地位。 二、第三代半导体功率器件在汽车行业的应用 在电动汽车的驱动系统中，第三代半导体功率器件可应用于电机驱动器、直流/直流（DC/DC）转换器、充电器等关键环节。高效的SiC或GaN器件有助于提高电机驱动器的输出功率、减小体积和降低热损失，从而实现更高的续航里程和更快的充电速度。 在汽车动力电子系统中，如电池管理系统（BMS）、能量回收系统（ERS）等，都可以从第三代半导体功率器件的优点中受益。例如，在BMS中使用高效的GaN器件可以降低开关损耗，提高电池的充放电效率，延长电池寿命。 随着汽车智能驾驶技术的不断发展，如自动驾驶、车联网等，对于高速、高效的半导体器件的需求也日益增长。第三代半导体功率器件在雷达、激光雷达（LiDAR）、图像处理等关键环节的应用，可以实现更快的数据处理速度、更低的能耗和更高的可靠性。 在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、仪表盘、气候控制系统等，同样可以从第三代半导体功率器件的优势中受益。例如，在车载信息娱乐系统中，采用GaN功率放大器可以实现更高的输出功率和更宽的频率范围，提升音频和视频的质量。 在新能源汽车充电基础设施中，第三代半导体功率器件在充电桩的直流/直流（DC/DC）转换器、直流/交流（DC/AC）逆变器等关键部件中的应用，有助于提高充电效率、降低能耗，缩短充电时间，为新能源汽车的普及奠定基础。 三、碳化硅半导体产业链 碳化硅半导体产业链主要包括“碳化硅高纯粉料→单晶衬底→外延片→功率器件→模块封装→终端应用”等环节。 4.1碳化硅高纯粉料 碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料，其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量和电学性能。碳化硅粉料有多种合成方式，主要有固相法、液相法和气相法三种。其中，固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法；液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法；气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等。 4.2单晶衬底 单晶衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基片。生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。目前，SiC单晶生长方法有物理气相传输法（PVT法）、液相法（LPE法）、高温化学气相沉积法（HT-CVD法）等。 碳化硅单晶生长方法对比表 4.3外延片 碳化硅外延片是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。目前，碳化硅单晶衬底上的SiC薄膜制备主要有化学气相淀积法（CVD）、液相法（LPE）、升华法、溅射法、MBE法等多种方法。其中，CVD法是制备高质量碳化硅晶体薄膜材料与器件的主要方法。 4.4功率器件 采用碳化硅材料制造的宽禁带功率器件，具有耐高温、高频、高效的特性。按照器件工作形式，SiC功率器件主要包括功率二极管和功率开关管。SiC功率器件与硅基功率器件一样，均采用微电子工艺加工而成。从碳化硅晶体材料来看，4H-SiC和6H-SiC在半导体领域的应用最广，其中4H-SiC主要用于制备高频、高温、大功率器件，而6H-SiC主要用于生产光电子领域的功率器件。 4.5模块封装 模块封装可以优化碳化硅功率器件使用过程中的性能和可靠性，可灵活地将功率器件与不同的应用方案结合。目前，量产阶段的相关功率器件封装类型基本沿用了硅功率器件。碳化硅二极管的常用封装类型以TO220为主，碳化硅MOSFET的常用封装类型以TO247-3为主，少数采用TO247-4、D2PAK等新型封装方式。 4.6终端应用 碳化硅器件具有体积小、功率大、频率高、能耗低、损耗小、耐高压等优点。当前主要应用领域包括各类电源及服务器、光伏逆变器、风电逆变器、新能源汽车的车载充电机、电机驱动系统、直流充电桩、变频空调、轨道交通、军工等。 四、碳化硅宽禁带半导体目前存在问题 1、大尺寸SiC单晶衬底制备技术仍不成熟。目前国际上已经开发出了8英寸SiC单晶样品，单晶衬底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC单晶衬底加工技术；p型衬底技术的研发较为滞后。 中国SiC单晶材料领域还存在以下问题：SiC单晶企业无法为国内已经/即将投产的6英寸芯片工艺线提供高质量的6英寸单晶衬底材料；SiC材料的检测设备完全被国外公司所垄断。 2、n型SiC外延生长技术有待进一步提高。 3、SiC功率器件的市场优势尚未完全形成，尚不能撼动目前硅功率半导体器件市场上的主体地位。国际SiC器件领域：SiC功率器件向大容量方向发展受限制；SiC器件工艺技术水平比较低；缺乏统一的测试评价标准。 中国SiC功率器件领域存在以下3个方面差距：（1）在SiCMOSFET器件方面的研发进展缓慢，只有少数单位具备独立的研发能力，产业化水平不容乐观。（2）SiC芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立SiC工艺线所采用的关键设备基本需要进口。（3）SiC器件高端检测设备被国外所垄断。 4、目前SiC功率模块存在的主要问题：（1）采用多芯片并联的SiC功率模块，会产生较严重的电磁干扰和额外损耗，无法发挥SiC器件的优良性能；SiC功率模块杂散参数较大，可靠性不高。（2）SiC功率高温封装技术发展滞后。 5、SiC器件的驱动技术尚不成熟。 6、SiC器件的应用模型尚不能全面反映SiC器件的物理特性。 五、未来展望 第三代半导体功率器件在汽车行业的应用还有许多发展空间。随着SiC和GaN材料制造工艺的不断优化和成本的降低，这些高性能的半导体器件将在更多的汽车电子领域得到广泛应用。此外，随着车载电子系统功能越来越多、集成度越来越高，对半导体器件的性能要求也将不断提高。未来，第三代半导体功率器件有望在更高频率、更高温度、更高功率等方面取得更大突破，进一步推动汽车行业的创新发展。 总之，第三代半导体功率器件以其高能效、高频率、高温度等优异性能，在汽车行业中的应用越来越广泛。从电动汽车驱动系统到智能驾驶系统，从汽车电子系统到新能源汽车充电基础设施，第三代半导体功率器件正助力汽车行业迈向更高的技术水平。 六、2024先进陶瓷在半导体与新能源领域应用高峰论坛将定于6月5日在苏州金陵雅都大酒店隆重举行！论坛将高度围绕第三代半导体材料，半导体晶圆与芯片制程设备（如光刻机、等离子刻蚀机、离子注入机、热处理炉、扩散炉、CVD设备）用精密陶瓷零部件、新能源汽车用陶瓷轴承、半导体功率器件及封装、涵盖半导体新能源行业应用的陶瓷新材料、精密陶瓷零部件制备新工艺、烧结新技术、新装备及产业链发展，而举办的一场高端论坛与互动交流活动，诚邀您莅临参会！

SEMI-e 深圳国际半导体展 SEMI-e 第六届深圳国际半导体技术暨应用展览会将持续产业核心技术和发展前沿，向20多个应用领域提供一站式采购与技术交流平台。 珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化。产品具有易于使用、可靠性高、性能参数领先等优点，可提供全系列贴片和插件封装，为市场提供高效、节能环保的下一代功率器件。产品覆盖小功率至大功率范围，广泛应用于消费电子、电动工具、数据中心等领域。公司自成立以来，已申请和获得多项专利，并荣获多项奖项。总部位于横琴深合区，设有深圳子公司和上海、杭州分公司，为客户提供全方位支持。 演讲嘉宾介绍 - 珠海镓未来科技有限公司 张大江 - 技术与IP部研发总监 毕业于清华大学电子工程系，拥有多年电源研发和市场经验，现任珠海镓未来技术与IP部研发总监，负责氮化镓产品组合技术平台规划及知识产权保护。珠海镓未来致力于功率氮化镓器件的设计与制造，提供高效率高功率密度解决方案。 演讲主题：未来已来----氮化镓器件在大功率应用的发展 SEMI-e第六届深圳国际半导体展将于6月26-28日在深圳国际会展中心（宝安）举行，展会主题为【“芯”中有“算”·智享未来】，展示面积60,000平方米，汇聚800余家展商，集中展现我国半导体企业的自主创新实力。展会由深圳市中新材会展有限公司联合多家行业协会共同主办，聚焦半导体产业链各个环节，展示从设计到封装的全产业链技术，引领行业新趋势。同期还将举办多场细分行业论坛，预计吸引60,000+观众参与。 同期高峰论坛 第五届第三代半导体产业发展高峰论坛 2024汽车半导体产业大会暨展示会 2024第二届人工智能——算力、算法、存储大会暨展示会 第六届半导体产业技术高峰会 SEMI-e诚邀全球半导体行业同仁共赴盛会，共享行业盛况。展会期间，珠海镓未来科技有限公司将在展位号6N32展出其最新技术和产品，期待您的莅临参观交流。

大半导体产业网消息，士兰微于5月21日晚间发布重要公告，宣布公司将与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元。此次增资行动旨在推动双方在技术、市场、团队、运营、资金、区位政策以及营销等方面的优势互补，共同在厦门市海沧区合资经营项目公司——厦门士兰集宏半导体有限公司。 项目公司将以建设一条以SiC-MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线为目标，产能规模计划达到每月6万片。据透露，第一期项目的总投资额为70亿元，其中资本金42.1亿元，占比约为60%；银行贷款27.9亿元，占比约为40%。预计第二期投资将达50亿元，基于第一期项目进行实施，资本结构暂定为30亿元资本金投资，其余为银行贷款。第二期项目完成后，将新增每月2.5万片8英寸SiC芯片的生产能力，与第一期的3.5万片/月产能合并，形成总计6万片/月的产能。 合作各方的目标是将项目公司打造成为一家符合国家集成电路产业发展规划的半导体公司，专注于第三代半导体功率器件的研发、制造和销售，并具备国际化的经营能力，以实现良好的经济和社会效益。此外，项目还旨在支撑和带动终端、系统、IC设计、装备、材料等产业链上下游企业在厦门地区的聚集，为中国的集成电路产业发展贡献力量。